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光束质量对称的高功率半导体激光器二维堆栈设计方法

光束质量对称的高功率半导体激光器二维堆栈设计方法

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光束质量对称的高功率半导体激光器二维堆栈设计方法

《光束质量对称的高功率半导体激光器二维堆栈设计方法》是王锋于2013年6月18日申请的专利,该专利的公布号为CN103326237A,公布日为2013年9月25日,发明人是王锋。该发明涉及半导体激光器技术领域。

《光束质量对称的高功率半导体激光器二维堆栈设计方法》所述二维堆栈是由n个巴条在快轴方向上平行封装而成,每个巴条含有m个半导体激光单元,n、m均为≥1的自然数,在去死区后,根据激光器的目标光束积参数来决定所需的巴条的数目n和每个巴条含有半导体激光单元的数目m以使得半导体激光器二维堆栈的慢轴方向上的光束质量和二维堆栈的快轴方向上的光束质量大约相当,即光束质量在两个方向上直接是对称的,不再需要整形光学系统。依据该发明的设计方法,可以直接得到光束质量对称的、高光束质量的大功率半导体激光器,在进行光纤耦合或聚焦时,将不再需要复杂的光学整形系统,直接使用简单的聚焦光学即可,使得整个系统变得简单、高效。

2017年12月11日,《光束质量对称的高功率半导体激光器二维堆栈设计方法》获得第十九届中国专利优秀奖。

(概述图为《光束质量对称的高功率半导体激光器二维堆栈设计方法》摘要附图)

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