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化学机械研磨

化学机械研磨

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化学机械研磨

化学机械研磨,晶圆制造中,随着制程技术的升级、导线与栅极尺寸的缩小,光刻(Lithography)技术对晶圆表面的平坦程度(Non-uniformity)的要求越来越高,IBM公司于1985年发展CMOS产品引入,并在1990年成功应用于64MB的DRAM生产中。1995年以后,CMP技术得到了快速发展,大量应用于半导体产业。化学机械研磨亦称为化学机械抛光,其原理是化学腐蚀作用和机械去除作用相结合的加工技术,是机械加工中唯一可以实现表面全局平坦化的技术。

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